2021年7月16日-高熱導率等優點.通過仿真和實驗研究了碳化硅二極管作為續流二極管應用在脈沖形成網絡中的表現,并與硅二極管作對比.實驗結果表明,碳化硅二極管在常溫下2014年10月15日-由于碳化硅晶元生長和SiC MOSFET制造工藝的限制,現在商用SiC MOSFET電流電壓等 19 段軍,梁雙建,起俠,唐霞輝,杭世驄;MOSFET式高頻激勵(連續/脈沖)CO2019年7月21日-若需要購買《功率碳化硅(SiC):材料、器件及應用-2019版》報告,請發E-mail:wangyi#memsconsulting(#換成@)。 聲明: 本文由入駐搜狐公眾平臺的作者

電流脈沖碳化硅,2015年7月20日-土巴兔裝修問答平臺為網友提供各種碳化硅肖特基二極管真的沒有反向恢復電流嗎?問題解答.記得功率肖特基二極管剛出現的時候,很多文章都告訴我們:肖特基2005年6月13日-PL系列脈沖電流源 是普賽斯儀表 針對大功率激光器LIV測試而研制的,具有輸出電流脈沖窄、輸出脈沖電流大、支持脈沖光功率檢測等功能。輸出脈沖寬度小2016年4月6日-之后對此SiC MOSFET串并聯模塊進行了在2400V/80A條件下的雙脈沖測試并比較了分 高壓大電流碳化硅MOSFET串并聯模塊來自淘豆網轉載請

2017年10月15日-【摘要】:碳化硅雙極結型晶體管(SiCBJT)由于SiC材料具有寬禁帶、高臨界擊穿電場及 電流。用功率分析儀Agilent B1505A測量靜態特性曲線和C-V曲2017年11月18日-MOS管Q5以及MOS管Q6為耐壓大于等于1000V的碳化硅MOSFET。本整流電流采用直流側電壓外環和交流側電流內環相結合的雙環控制方式,可采用多種不同的調制方2016年2月1日-【摘要】:綜合論述了基于碳化硅(SiC)材料制備的四層器件在脈沖功率領域的應用現狀 3 海洋;何小平;徐燕;;基于反向開關晶體管的重復頻率脈沖電流源

2022年3月1日-本吧熱帖: 1-大量采購碳化硅 2-//@眾晟牌鐵合金? ://@眾晟牌鐵合金? :分享貼子 3-//@眾 不同的是存在一個承壓導電模具加上可控脈沖電流,通過調節脈2020年1月10日-碳化硅MOS雙脈沖測試儀 EN-6500A分立器件動態參數測試系統是由西安易恩電氣科技 該試驗臺是一套大電流、高電壓的測試設備,電流***大可擴展8000kA2022年6月20日-美國業者Apex Microtechnology開發出一系列集成了碳化硅(SiC) MOSFET技術的器件, 相較于硅材料,SiC具備許多優勢,例如在同樣溫度和電流水平下,后者

2021年7月8日-這是西安長禾半導體技術有限公司提供的碳化硅 MOS電子元器件雙脈沖參數測試分析檢測的詳細信息,包含長禾等相關介紹,歡迎您及時聯系。西安長禾半導