我國第三代半導(dǎo)體材料制造設(shè)備取得新突破概念股掘金股票頻道金融界

2017年10月24日 通常,國際上把碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等寬禁帶半導(dǎo)體材料稱之為 大尺寸SiC材料與器件的制造設(shè)備與工藝技術(shù)研究"課題通過了技術(shù)驗(yàn)收。

天科合達(dá)牽頭的"大尺寸SiC材料與器件的制造設(shè)備與工藝技術(shù)研究"課題

2017年10月26日 近日,863計(jì)劃先進(jìn)制造技術(shù)領(lǐng)域"大尺寸SiC材料與器件的制造設(shè)備與工藝技術(shù)研究"課題通過了技術(shù)驗(yàn)收。,中關(guān)村天合寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟.

研究人員發(fā)現(xiàn)低成本生產(chǎn)SiC的工藝電子工程專輯

2017年9月28日 碳化硅(SiC),這種寬能隙的半導(dǎo)體組件可用于打造更優(yōu)質(zhì)的晶體管,取代當(dāng)今的硅功率晶體管,并與二極管共同搭配,提供溫度、頻率的 

天科合達(dá)牽頭的"大尺寸SiC材料與器件的制造設(shè)備與工藝技術(shù)研究"課題

2017年10月26日 近日,863計(jì)劃先進(jìn)制造技術(shù)領(lǐng)域"大尺寸SiC材料與器件的制造設(shè)備與工藝技術(shù)研究"課題通過了技術(shù)驗(yàn)收。,中關(guān)村天合寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟.

張永輝：連續(xù)纖維增強(qiáng)陶瓷基復(fù)合材料研制及應(yīng)用西安交通大學(xué)材料科學(xué)

2018年7月2日 而后講解了超碼科技有限公司所使用的技術(shù)和設(shè)備,并簡單講解了公司所能做出來的工藝,所能做出來的產(chǎn)品,以及先進(jìn)的分析檢測設(shè)備。 比如張南龍博士生提問關(guān)于碳化硅晶須的問題,張亞明博士生提問的關(guān)于硬度檢測標(biāo)樣的 

碳化硅 北京世紀(jì)金光半導(dǎo)體有限公司

【金光炫技】 "世紀(jì)金光"碳化硅晶片劃片裂片工藝再添新高！ 材料劃裂片方案,引進(jìn)國際上先進(jìn)的SiC劃片裂片設(shè)備,建立了國內(nèi)條SiC晶圓劃裂片量產(chǎn)生產(chǎn)線。

碳化硅 北京世紀(jì)金光半導(dǎo)體有限公司

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時(shí)代電氣6英寸碳化硅（SiC）產(chǎn)業(yè)化基地技術(shù)調(diào)試圓滿完成_首頁_手機(jī)端

2017年12月22日 12月10日,時(shí)代電氣SiC產(chǎn)業(yè)化基地離子注入工藝設(shè)備技術(shù)調(diào)試完成,標(biāo)志著SiC芯片生產(chǎn)線全線設(shè)備、工藝調(diào)試圓滿完成,具備SiC產(chǎn)品的生產(chǎn)條件 

功率器件工藝材料雙雄并起：SiC和GaN基礎(chǔ)器件與非網(wǎng)

碳化硅（SiC）俗稱金剛砂,為硅與碳相鍵結(jié)而成的陶瓷狀化合物,碳化硅在大自然 技術(shù)比較困難；工藝裝置特殊要求,技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)高,例離子注入,外延設(shè)備,激光曝光光 

我國半導(dǎo)體SiC單晶粉料和設(shè)備生產(chǎn)實(shí)現(xiàn)新突破地方要聞區(qū)域創(chuàng)新

2018年6月5日 我國半導(dǎo)體SiC單晶粉料和設(shè)備生產(chǎn)實(shí)現(xiàn)新突破. 硅（SiC）單晶生長設(shè)備正在高速運(yùn)行,碳化硅（SiC）單晶在這100臺(tái)設(shè)備里"奮力"生長。 單晶,在具備高純SiC粉料和單晶生長爐條件下,還需要對(duì)生產(chǎn)工藝進(jìn)行設(shè)計(jì)、調(diào)試和優(yōu)化。

英飛凌開始批量生產(chǎn)全碳化硅模塊 工藝設(shè)備 電子工程世界網(wǎng)

2017年6月28日 效率更高、功率密度更大、尺寸更小且系統(tǒng)成本更低：這是基于碳化硅（SiC）的晶體管的主要優(yōu)勢。英飛凌科技股份公司（FSE: IFX OTCQX:

SFB 管殼式碳化硅換熱器 3V Tech

主頁 > 工藝設(shè)備 > 搪玻璃 > 熱交換 > SFB 管殼式碳化硅換熱器 SFB類型的外殼和夾套側(cè)管板由不銹鋼制成,其擋板由PTFE制成,碳化硅管子和管側(cè)的分配器由塘玻璃制成。 碳化硅管道 管道由SaintGobain陶瓷供應(yīng)的Hexoloy SA碳化硅管道 

我國半導(dǎo)體SiC單晶粉料和設(shè)備生產(chǎn)實(shí)現(xiàn)新突破半導(dǎo)體碳化硅材料_

2018年6月6日 臺(tái)碳化硅（SiC）單晶生長設(shè)備正在高速運(yùn)行,SiC單晶在這100臺(tái)設(shè)備里" 粉料和單晶生長爐條件下,還需要對(duì)生產(chǎn)工藝進(jìn)行設(shè)計(jì)、調(diào)試和優(yōu)化。

我國碳化硅器件制造關(guān)鍵裝備研發(fā)取得重大進(jìn)展 國家科技部

2018年5月6日 以碳化硅（SiC）為代表的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是全球戰(zhàn)略競爭新的制高點(diǎn)。 同時(shí),設(shè)備的銷售價(jià)格可控制在同類進(jìn)口設(shè)備的2/3以下,有力支撐了國內(nèi)SiC 減薄、切割、磨拋等關(guān)鍵工藝裝備與工藝整合研究,為SiC器件制造整線裝備的 

我國第三代半導(dǎo)體材料制造設(shè)備取得新突破 中國日?qǐng)?bào)網(wǎng) 金融頻道

2017年10月24日 尺寸SiC材料與器件的制造設(shè)備與工藝技術(shù)研究"課題通過了技術(shù)驗(yàn)收。 通常,國際上把碳化硅（SiC）、氮化鎵(GaN)等寬禁帶半導(dǎo)體材料稱之為 

中車時(shí)代電氣6英寸碳化硅（SiC）生產(chǎn)線首批芯片試制成功_首頁_株洲中

2018年1月30日 時(shí)代電氣半導(dǎo)體事業(yè)部6英寸碳化硅（SiC）生產(chǎn)線是國內(nèi)首條6英寸SiC 芯片結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、高溫離子注入機(jī)等50余臺(tái)工藝設(shè)備和90余項(xiàng)工藝調(diào)試, 

我國半導(dǎo)體SiC單晶粉料和設(shè)備生產(chǎn)實(shí)現(xiàn)新突破新華網(wǎng) 新華社

2018年6月6日 我國半導(dǎo)體SiC單晶粉料和設(shè)備生產(chǎn)實(shí)現(xiàn)新突破6月5日,在中國電子 臺(tái)碳化硅（SiC）單晶生長設(shè)備正在高速運(yùn)行,SiC單晶在這100臺(tái)設(shè)備里"奮力"生長。 粉料和單晶生長爐條件下,還需要對(duì)生產(chǎn)工藝進(jìn)行設(shè)計(jì)、調(diào)試和優(yōu)化。".

玻璃鋼用碳化硅,金蒙專業(yè)生產(chǎn)16年！

金蒙新材碳化硅耐沖刷、耐腐蝕,玻璃鋼用材料。. 公司研發(fā)部更是根據(jù)不同客戶的工藝設(shè)備要求,提供相對(duì)應(yīng)的碳化硅產(chǎn)品,有效保證了合作產(chǎn)業(yè) 

SiC器件定制 BASiC l 基本半導(dǎo)體碳化硅功率器件領(lǐng)軍品牌

完整的4/6寸生產(chǎn)流程線,擁有碳化硅外延、高溫離子注入、高溫退火、高溫氧化等全套工藝設(shè)備,提供完整的器件生產(chǎn)或部分工藝步驟定制；. ? 全生產(chǎn)流程可控, 

中國首條6英寸SiC芯片生產(chǎn)線完成技術(shù)調(diào)試_中國半導(dǎo)體照明網(wǎng)

2017年12月22日 時(shí)代電氣半導(dǎo)體事業(yè)部SiC芯片線已于12月份完成全部工藝能力調(diào)試。 一系列高難度、高危險(xiǎn)的任務(wù),為SiC工藝設(shè)備提供源源不斷、穩(wěn)定可靠的" 

150mm晶圓時(shí)代已逝？大錯(cuò)特錯(cuò)啦！ 晶圓 微迷：專業(yè)MEMS市場調(diào)研

2018年7月21日 在GaAs襯底上制造的器件常常以多片晶圓批量式進(jìn)行工藝步驟,這 碳化硅（SiC）應(yīng)用持續(xù)升溫 150mm SiC晶圓制造設(shè)備有何特殊之處？

碳化硅材料磨削技術(shù)基礎(chǔ)研究【維普網(wǎng)】倉儲(chǔ)式在線作品出版平臺(tái)www

為滿足碳化硅材料的磨削要求,根據(jù)碳化硅材料的性能,研究了磨削工藝,并針對(duì)磨削中出現(xiàn)的技術(shù)難題,采取 【出處】, 《電子工業(yè)專用設(shè)備》2018年第2期 3435頁共3頁.

公司簡介 Microcera specializes

寧波密克斯新材料科技有限公司專業(yè)生產(chǎn)無壓燒結(jié)碳化硅陶瓷材料。 公司創(chuàng)辦人陳 我們的生產(chǎn)工藝全球。兩種材料都 生產(chǎn)所需的關(guān)鍵設(shè)備全部從歐美進(jìn)口,包括大型高溫真空燒結(jié)爐,全自動(dòng)機(jī)械壓機(jī),等靜壓機(jī),數(shù)控磨床等。 我們竭誠為您 

西格里集團(tuán)SGL CARBON SGL Group

碳/碳化硅是一種復(fù)合材料,其將碳纖維結(jié)合在陶瓷基料中,并將材料的物理特性發(fā)揮 形狀接近幾何公差的結(jié)構(gòu)部件 高溫應(yīng)用部件 化學(xué)工藝設(shè)備用部件 航空航天 

我國碳化硅器件制造關(guān)鍵裝備研發(fā)取得重大進(jìn)展 國家科技部

2018年5月6日 以碳化硅（SiC）為代表的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是全球戰(zhàn)略競爭新的制高點(diǎn)。 同時(shí),設(shè)備的銷售價(jià)格可控制在同類進(jìn)口設(shè)備的2/3以下,有力支撐了國內(nèi)SiC 減薄、切割、磨拋等關(guān)鍵工藝裝備與工藝整合研究,為SiC器件制造整線裝備的