我國(guó)研制出4米大口徑碳化硅非球面光學(xué)反射鏡新華網(wǎng) 新華社

2018年8月21日 我國(guó)研制出4米大口徑碳化硅非球面光學(xué)反射鏡探索9年、經(jīng)18個(gè)月加工" 碳化硅表面改性鍍膜的制造設(shè)備研制與制造工藝研究,形成了具有自主 

中車(chē)時(shí)代電氣SiC產(chǎn)業(yè)化基地離子注入工藝設(shè)備技術(shù)調(diào)試完成 電子發(fā)燒友

2018年1月15日 近日,中車(chē)時(shí)代電氣SiC產(chǎn)業(yè)化基地離子注入工藝設(shè)備技術(shù)調(diào)試完成,標(biāo)志著SiC芯片生產(chǎn)線(xiàn)全線(xiàn)設(shè)備、工藝調(diào)試圓滿(mǎn)完成,具備SiC產(chǎn)品的生產(chǎn)條件, 

河北靈壽碳化硅微粉生產(chǎn)工藝 雷蒙磨粉機(jī)

整個(gè)碳化硅微粉生產(chǎn)工藝流程運(yùn)行高效,物料在各個(gè)設(shè)備之間高效流通,人員操作方便,整條生產(chǎn)線(xiàn)的占地面積小,節(jié)省土地投資成本。公司為河北用戶(hù)組建的碳化硅 

半導(dǎo)體科普五半導(dǎo)體材料、工藝和設(shè)備 知乎專(zhuān)欄

2018年7月2日 第三代半導(dǎo)體材料有氮化鎵（GaN）,金剛石（也叫鉆石）,碳化硅（SiC,也叫 實(shí)現(xiàn)以上工藝的設(shè)備有,氧化爐、光刻機(jī)、顯影機(jī)、刻蝕機(jī)、鍍膜機(jī)、注入 

西格里集團(tuán)SGL CARBON SGL Group

碳/碳化硅是一種復(fù)合材料,其將碳纖維結(jié)合在陶瓷基料中,并將材料的物理特性發(fā)揮 形狀接近幾何公差的結(jié)構(gòu)部件 高溫應(yīng)用部件 化學(xué)工藝設(shè)備用部件 航空航天 

我國(guó)研制出4米大口徑碳化硅非球面光學(xué)反射鏡新華網(wǎng) 新華社

2018年8月21日 我國(guó)研制出4米大口徑碳化硅非球面光學(xué)反射鏡探索9年、經(jīng)18個(gè)月加工" 碳化硅表面改性鍍膜的制造設(shè)備研制與制造工藝研究,形成了具有自主 

碳化硅 北京世紀(jì)金光半導(dǎo)體有限公司

【金光炫技】 "世紀(jì)金光"碳化硅晶片劃片裂片工藝再添新高！ 材料劃裂片方案,引進(jìn)國(guó)際上先進(jìn)的SiC劃片裂片設(shè)備,建立了國(guó)內(nèi)條SiC晶圓劃裂片量產(chǎn)生產(chǎn)線(xiàn)。

中國(guó)首條6英寸SiC芯片生產(chǎn)線(xiàn)完成技術(shù)調(diào)試_中國(guó)半導(dǎo)體照明網(wǎng)

2017年12月22日 時(shí)代電氣半導(dǎo)體事業(yè)部SiC芯片線(xiàn)已于12月份完成全部工藝能力調(diào)試。 一系列高難度、高危險(xiǎn)的任務(wù),為SiC工藝設(shè)備提供源源不斷、穩(wěn)定可靠的" 

碳化硅陶瓷的特種制備技術(shù) 行業(yè)新聞 先進(jìn)陶瓷展官網(wǎng) 工業(yè)陶瓷展會(huì)

碳化硅陶瓷材料具有高溫強(qiáng)度大,高溫抗氧化性強(qiáng),耐磨損性能好,熱穩(wěn)定性,熱彭 除引燃外無(wú)需外部熱源,具有耗能少、設(shè)備工藝簡(jiǎn)單、生產(chǎn)率高的優(yōu)點(diǎn),其缺點(diǎn)是目 

全球碳化硅晶片的主要生產(chǎn)商之一 北京天科合達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司

公司依托于中國(guó)科學(xué)院物理所十余年在碳化硅領(lǐng)域的研究成果,集技術(shù)、管理、市場(chǎng)和 全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)材料分會(huì)會(huì)員單位 中關(guān)村國(guó)家自主創(chuàng)新 自行研發(fā)了碳化硅晶片加工的關(guān)鍵工藝技術(shù)：針對(duì)超硬的碳化硅,選取適當(dāng) 

4米量級(jí)高精度SiC非球面反射鏡制造系統(tǒng) 中國(guó)科學(xué)院院刊

在張學(xué)軍研究員帶領(lǐng)下,歷經(jīng)8年技術(shù)攻關(guān),研究團(tuán)隊(duì)完成了SiC鏡坯制備、非球面加工檢測(cè)、SiC表面改性和反射鏡表面鍍膜的制造設(shè)備研制與制造工藝研究,形成了4 

我國(guó)碳化硅器件制造關(guān)鍵裝備研發(fā)取得重大進(jìn)展 國(guó)家科技部

2018年5月6日 以碳化硅（SiC）為代表的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是全球戰(zhàn)略競(jìng)爭(zhēng)新的制高點(diǎn)。 同時(shí),設(shè)備的銷(xiāo)售價(jià)格可控制在同類(lèi)進(jìn)口設(shè)備的2/3以下,有力支撐了國(guó)內(nèi)SiC 減薄、切割、磨拋等關(guān)鍵工藝裝備與工藝整合研究,為SiC器件制造整線(xiàn)裝備的 

碳化硅干燥項(xiàng)目 化工行業(yè) 常州市凱亞干燥設(shè)備有限公司

碳化硅干燥生產(chǎn)線(xiàn)是我公司為克服靜態(tài)干燥低效、高耗而研制開(kāi)發(fā)的新型高效流態(tài) 揚(yáng)長(zhǎng)避短,使整機(jī)具有合理的工藝結(jié)構(gòu)和優(yōu)越的使用性能,真正實(shí)現(xiàn)流態(tài)化干燥的 

我國(guó)第三代半導(dǎo)體材料制造設(shè)備取得新突破 中國(guó)日?qǐng)?bào)網(wǎng) 金融頻道

2017年10月24日 尺寸SiC材料與器件的制造設(shè)備與工藝技術(shù)研究"課題通過(guò)了技術(shù)驗(yàn)收。 通常,國(guó)際上把碳化硅（SiC）、氮化鎵(GaN)等寬禁帶半導(dǎo)體材料稱(chēng)之為 

碳化硅_百度百科

碳化硅(SiC)因其很大的硬度而成為一種重要的磨料,但其應(yīng)用范圍 高溫制備SiC冶煉塊的熱工設(shè)備是專(zhuān)用的碳化硅電爐,其結(jié)構(gòu)由爐底、 

我成功研制世界口徑單體碳化硅反射鏡新華網(wǎng) 新華社

2018年8月23日 這是公開(kāi)報(bào)道的世界上口徑碳化硅單體反射鏡,標(biāo)志我國(guó)光學(xué)系統(tǒng)制造 碳化硅表面改性鍍膜的制造設(shè)備研制與制造工藝研究,形成了具有自主 

功率器件工藝材料雙雄并起：SiC和GaN基礎(chǔ)器件與非網(wǎng)

碳化硅（SiC）俗稱(chēng)金剛砂,為硅與碳相鍵結(jié)而成的陶瓷狀化合物,碳化硅在大自然 技術(shù)比較困難；工藝裝置特殊要求,技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)高,例離子注入,外延設(shè)備,激光曝光光 

碳化硅

金蒙新材料公司是以生產(chǎn)碳化硅微粉為主的高新技術(shù)企業(yè),擁有完善的碳化硅微粉生產(chǎn)線(xiàn)和工藝技術(shù)。金蒙建有質(zhì)量檢測(cè),配備了專(zhuān)業(yè)的檢測(cè)設(shè)備。年產(chǎn)碳化硅 

SiC器件定制 BASiC l 基本半導(dǎo)體碳化硅功率器件領(lǐng)軍品牌

完整的4/6寸生產(chǎn)流程線(xiàn),擁有碳化硅外延、高溫離子注入、高溫退火、高溫氧化等全套工藝設(shè)備,提供完整的器件生產(chǎn)或部分工藝步驟定制；. ? 全生產(chǎn)流程可控, 

SiC器件定制 BASiC l 基本半導(dǎo)體碳化硅功率器件領(lǐng)軍品牌

完整的4/6寸生產(chǎn)流程線(xiàn),擁有碳化硅外延、高溫離子注入、高溫退火、高溫氧化等全套工藝設(shè)備,提供完整的器件生產(chǎn)或部分工藝步驟定制；. ? 全生產(chǎn)流程可控, 

【行業(yè)分享】備受期待的碳化硅功率器件行業(yè)動(dòng)態(tài)ROHM技術(shù)社區(qū)

2018年5月30日 在當(dāng)代C、N、B等非氧化物高技術(shù)耐火原料中,碳化硅為應(yīng)用廣泛、經(jīng)濟(jì)的一種。 其他用途,例如：以特殊工藝把碳化硅粉末涂布于水輪機(jī)葉輪或汽缸體的內(nèi)壁,可提高其 . 當(dāng)然還有配套的設(shè)備、材料等環(huán)節(jié),本期不做介紹。

我國(guó)第三代半導(dǎo)體材料制造設(shè)備取得新突破 中國(guó)日?qǐng)?bào)網(wǎng) 金融頻道

2017年10月24日 尺寸SiC材料與器件的制造設(shè)備與工藝技術(shù)研究"課題通過(guò)了技術(shù)驗(yàn)收。 通常,國(guó)際上把碳化硅（SiC）、氮化鎵(GaN)等寬禁帶半導(dǎo)體材料稱(chēng)之為 

中車(chē)時(shí)代電氣6英寸碳化硅（SiC）生產(chǎn)線(xiàn)首批芯片試制成功_首頁(yè)_株洲中

2018年1月30日 時(shí)代電氣半導(dǎo)體事業(yè)部6英寸碳化硅（SiC）生產(chǎn)線(xiàn)是國(guó)內(nèi)首條6英寸SiC 芯片結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、高溫離子注入機(jī)等50余臺(tái)工藝設(shè)備和90余項(xiàng)工藝調(diào)試, 

時(shí)代電氣6英寸碳化硅（SiC）產(chǎn)業(yè)化基地技術(shù)調(diào)試圓滿(mǎn)完成_首頁(yè)_手機(jī)端

2017年12月22日 12月10日,時(shí)代電氣SiC產(chǎn)業(yè)化基地離子注入工藝設(shè)備技術(shù)調(diào)試完成,標(biāo)志著SiC芯片生產(chǎn)線(xiàn)全線(xiàn)設(shè)備、工藝調(diào)試圓滿(mǎn)完成,具備SiC產(chǎn)品的生產(chǎn)條件 

研究人員發(fā)現(xiàn)低成本生產(chǎn)SiC的工藝電子工程專(zhuān)輯

2017年9月28日 為了降低SiC的制造成本,美國(guó)北卡羅萊納州立大學(xué)的研究人員設(shè)計(jì)了一種PRESiCE工藝,并搭配TI XFab實(shí)現(xiàn)低成本的SiC功率MOSFET