線切割用碳化硅新型干法生產(chǎn)工藝簡介_粉體技術(shù)_粉體圈

針對這些問題,國內(nèi)某些知名企業(yè)從國外引進(jìn)了新型的線切割用碳化硅干法工藝生產(chǎn)線。該生產(chǎn)線的核心設(shè)備是高壓輥磨機(jī)和在線式粒度控制系統(tǒng)。該生產(chǎn)線生產(chǎn)出的 

中國首條6英寸SiC芯片生產(chǎn)線完成技術(shù)調(diào)試_中國半導(dǎo)體照明網(wǎng)

2017年12月22日 時(shí)代電氣半導(dǎo)體事業(yè)部SiC芯片線已于12月份完成全部工藝能力調(diào)試。 一系列高難度、高危險(xiǎn)的任務(wù),為SiC工藝設(shè)備提供源源不斷、穩(wěn)定可靠的" 

我國碳化硅器件制造關(guān)鍵裝備研發(fā)取得重大進(jìn)展 國家科技部

2018年5月6日 以碳化硅（SiC）為代表的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是全球戰(zhàn)略競爭新的制高點(diǎn)。 同時(shí),設(shè)備的銷售價(jià)格可控制在同類進(jìn)口設(shè)備的2/3以下,有力支撐了國內(nèi)SiC 減薄、切割、磨拋等關(guān)鍵工藝裝備與工藝整合研究,為SiC器件制造整線裝備的 

4米量級高精度SiC非球面反射鏡制造系統(tǒng) 中國科學(xué)院院刊

在張學(xué)軍研究員帶領(lǐng)下,歷經(jīng)8年技術(shù)攻關(guān),研究團(tuán)隊(duì)完成了SiC鏡坯制備、非球面加工檢測、SiC表面改性和反射鏡表面鍍膜的制造設(shè)備研制與制造工藝研究,形成了4 

我國半導(dǎo)體SiC單晶粉料和設(shè)備生產(chǎn)實(shí)現(xiàn)新突破半導(dǎo)體碳化硅材料_

2018年6月6日 臺碳化硅（SiC）單晶生長設(shè)備正在高速運(yùn)行,SiC單晶在這100臺設(shè)備里" 粉料和單晶生長爐條件下,還需要對生產(chǎn)工藝進(jìn)行設(shè)計(jì)、調(diào)試和優(yōu)化。

時(shí)代電氣6英寸碳化硅（SiC）產(chǎn)業(yè)化基地技術(shù)調(diào)試圓滿完成_首頁_手機(jī)端

2017年12月22日 12月10日,時(shí)代電氣SiC產(chǎn)業(yè)化基地離子注入工藝設(shè)備技術(shù)調(diào)試完成,標(biāo)志著SiC芯片生產(chǎn)線全線設(shè)備、工藝調(diào)試圓滿完成,具備SiC產(chǎn)品的生產(chǎn)條件 

英飛凌開始批量生產(chǎn)全碳化硅模塊 工藝設(shè)備 電子工程世界網(wǎng)

2017年6月28日 效率更高、功率密度更大、尺寸更小且系統(tǒng)成本更低：這是基于碳化硅（SiC）的晶體管的主要優(yōu)勢。英飛凌科技股份公司（FSE: IFX OTCQX:

玻璃鋼用碳化硅,金蒙專業(yè)生產(chǎn)16年！

金蒙新材碳化硅耐沖刷、耐腐蝕,玻璃鋼用材料。. 公司研發(fā)部更是根據(jù)不同客戶的工藝設(shè)備要求,提供相對應(yīng)的碳化硅產(chǎn)品,有效保證了合作產(chǎn)業(yè) 

天科合達(dá)牽頭的"大尺寸SiC材料與器件的制造設(shè)備與工藝技術(shù)研究"課題

2017年10月26日 近日,863計(jì)劃先進(jìn)制造技術(shù)領(lǐng)域"大尺寸SiC材料與器件的制造設(shè)備與工藝技術(shù)研究"課題通過了技術(shù)驗(yàn)收。,中關(guān)村天合寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟.

SFB 管殼式碳化硅換熱器 3V Tech

主頁 > 工藝設(shè)備 > 搪玻璃 > 熱交換 > SFB 管殼式碳化硅換熱器 SFB類型的外殼和夾套側(cè)管板由不銹鋼制成,其擋板由PTFE制成,碳化硅管子和管側(cè)的分配器由塘玻璃制成。 碳化硅管道 管道由SaintGobain陶瓷供應(yīng)的Hexoloy SA碳化硅管道 

天科合達(dá)牽頭的"大尺寸SiC材料與器件的制造設(shè)備與工藝技術(shù)研究"課題

2017年10月26日 近日,863計(jì)劃先進(jìn)制造技術(shù)領(lǐng)域"大尺寸SiC材料與器件的制造設(shè)備與工藝技術(shù)研究"課題通過了技術(shù)驗(yàn)收。,中關(guān)村天合寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟.

碳化硅 北京世紀(jì)金光半導(dǎo)體有限公司

【金光炫技】 "世紀(jì)金光"碳化硅晶片劃片裂片工藝再添新高！ 材料劃裂片方案,引進(jìn)國際上先進(jìn)的SiC劃片裂片設(shè)備,建立了國內(nèi)條SiC晶圓劃裂片量產(chǎn)生產(chǎn)線。

公司簡介 Microcera specializes

寧波密克斯新材料科技有限公司專業(yè)生產(chǎn)無壓燒結(jié)碳化硅陶瓷材料。 公司創(chuàng)辦人陳 我們的生產(chǎn)工藝全球。兩種材料都 生產(chǎn)所需的關(guān)鍵設(shè)備全部從歐美進(jìn)口,包括大型高溫真空燒結(jié)爐,全自動機(jī)械壓機(jī),等靜壓機(jī),數(shù)控磨床等。 我們竭誠為您 

半導(dǎo)體科普五半導(dǎo)體材料、工藝和設(shè)備 知乎專欄

2018年7月2日 第三代半導(dǎo)體材料有氮化鎵（GaN）,金剛石（也叫鉆石）,碳化硅（SiC,也叫 實(shí)現(xiàn)以上工藝的設(shè)備有,氧化爐、光刻機(jī)、顯影機(jī)、刻蝕機(jī)、鍍膜機(jī)、注入 

半導(dǎo)體制造設(shè)備｜產(chǎn)品信息｜ACCRETECH 東京精密

高剛性研磨盤是對藍(lán)寶石、碳化硅等難磨材料進(jìn)行研磨的設(shè)備。 CMP裝置. CMP設(shè)備. CMP是在IC 制造工程中晶圓表面平坦化工藝之一環(huán),使用化學(xué)研磨劑、研磨墊 

碳化硅材料磨削技術(shù)基礎(chǔ)研究【維普網(wǎng)】倉儲式在線作品出版平臺www

為滿足碳化硅材料的磨削要求,根據(jù)碳化硅材料的性能,研究了磨削工藝,并針對磨削中出現(xiàn)的技術(shù)難題,采取 【出處】, 《電子工業(yè)專用設(shè)備》2018年第2期 3435頁共3頁.

碳化硅(SiC)：歷史與應(yīng)用 微波基礎(chǔ)知識 微波射頻網(wǎng)

2017年8月10日 硅與碳的合成物是碳化硅(SiC),俗稱金剛砂。 碳化硅也用于在高溫和/或高壓環(huán)境中工作的半導(dǎo)體電子設(shè)備,如火焰點(diǎn)火器、電阻加熱元件以及惡劣 幸運(yùn)的是,生產(chǎn)中使用滲氮工藝可使造成這些接口問題的缺陷大大降低。

150mm晶圓時(shí)代已逝？大錯(cuò)特錯(cuò)啦！ 晶圓 微迷：專業(yè)MEMS市場調(diào)研

2018年7月21日 在GaAs襯底上制造的器件常常以多片晶圓批量式進(jìn)行工藝步驟,這 碳化硅（SiC）應(yīng)用持續(xù)升溫 150mm SiC晶圓制造設(shè)備有何特殊之處？

SiC器件定制 BASiC l 基本半導(dǎo)體碳化硅功率器件領(lǐng)軍品牌

完整的4/6寸生產(chǎn)流程線,擁有碳化硅外延、高溫離子注入、高溫退火、高溫氧化等全套工藝設(shè)備,提供完整的器件生產(chǎn)或部分工藝步驟定制；. ? 全生產(chǎn)流程可控, 

碳化硅 北京世紀(jì)金光半導(dǎo)體有限公司

【金光炫技】 "世紀(jì)金光"碳化硅晶片劃片裂片工藝再添新高！ 材料劃裂片方案,引進(jìn)國際上先進(jìn)的SiC劃片裂片設(shè)備,建立了國內(nèi)條SiC晶圓劃裂片量產(chǎn)生產(chǎn)線。

我國半導(dǎo)體SiC單晶粉料和設(shè)備生產(chǎn)實(shí)現(xiàn)新突破地方要聞區(qū)域創(chuàng)新

2018年6月5日 我國半導(dǎo)體SiC單晶粉料和設(shè)備生產(chǎn)實(shí)現(xiàn)新突破. 硅（SiC）單晶生長設(shè)備正在高速運(yùn)行,碳化硅（SiC）單晶在這100臺設(shè)備里"奮力"生長。 單晶,在具備高純SiC粉料和單晶生長爐條件下,還需要對生產(chǎn)工藝進(jìn)行設(shè)計(jì)、調(diào)試和優(yōu)化。

中車時(shí)代電氣6英寸碳化硅（SiC）生產(chǎn)線首批芯片試制成功_首頁_株洲中

2018年1月30日 時(shí)代電氣半導(dǎo)體事業(yè)部6英寸碳化硅（SiC）生產(chǎn)線是國內(nèi)首條6英寸SiC 芯片結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、高溫離子注入機(jī)等50余臺工藝設(shè)備和90余項(xiàng)工藝調(diào)試, 

HOLLIASLEC G3 PLC 在SiC（碳化硅） 北京和利時(shí)電機(jī)技術(shù)有限公司

根據(jù)碳化硅晶體生長工藝要求,提供了一種降低成本、增加可靠性的運(yùn)動控制方. 案。該晶體生長爐運(yùn)動控制系統(tǒng)的全套硬件設(shè)備及軟件設(shè)計(jì)工作由杭州和利時(shí)自.

全球碳化硅晶片的主要生產(chǎn)商之一 北京天科合達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司

公司依托于中國科學(xué)院物理所十余年在碳化硅領(lǐng)域的研究成果,集技術(shù)、管理、市場和 全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會材料分會會員單位 中關(guān)村國家自主創(chuàng)新 自行研發(fā)了碳化硅晶片加工的關(guān)鍵工藝技術(shù)：針對超硬的碳化硅,選取適當(dāng) 

中車時(shí)代電氣SiC產(chǎn)業(yè)化基地離子注入工藝設(shè)備技術(shù)調(diào)試完成 電子發(fā)燒友

2018年1月15日 近日,中車時(shí)代電氣SiC產(chǎn)業(yè)化基地離子注入工藝設(shè)備技術(shù)調(diào)試完成,標(biāo)志著SiC芯片生產(chǎn)線全線設(shè)備、工藝調(diào)試圓滿完成,具備SiC產(chǎn)品的生產(chǎn)條件,