線切割用碳化硅新型干法生產工藝簡介_粉體技術_粉體圈

針對這些問題,國內某些知名企業從國外引進了新型的線切割用碳化硅干法工藝生產線。該生產線的核心設備是高壓輥磨機和在線式粒度控制系統。該生產線生產出的 

中國首條6英寸SiC芯片生產線完成技術調試_中國半導體照明網

2017年12月22日 時代電氣半導體事業部SiC芯片線已于12月份完成全部工藝能力調試。 一系列高難度、高危險的任務,為SiC工藝設備提供源源不斷、穩定可靠的" 

我國碳化硅器件制造關鍵裝備研發取得重大進展 國家科技部

2018年5月6日 以碳化硅（SiC）為代表的第三代半導體產業是全球戰略競爭新的制高點。 同時,設備的銷售價格可控制在同類進口設備的2/3以下,有力支撐了國內SiC 減薄、切割、磨拋等關鍵工藝裝備與工藝整合研究,為SiC器件制造整線裝備的 

4米量級高精度SiC非球面反射鏡制造系統 中國科學院院刊

在張學軍研究員帶領下,歷經8年技術攻關,研究團隊完成了SiC鏡坯制備、非球面加工檢測、SiC表面改性和反射鏡表面鍍膜的制造設備研制與制造工藝研究,形成了4 

我國半導體SiC單晶粉料和設備生產實現新突破半導體碳化硅材料_

2018年6月6日 臺碳化硅（SiC）單晶生長設備正在高速運行,SiC單晶在這100臺設備里" 粉料和單晶生長爐條件下,還需要對生產工藝進行設計、調試和優化。

時代電氣6英寸碳化硅（SiC）產業化基地技術調試圓滿完成_首頁_手機端

2017年12月22日 12月10日,時代電氣SiC產業化基地離子注入工藝設備技術調試完成,標志著SiC芯片生產線全線設備、工藝調試圓滿完成,具備SiC產品的生產條件 

英飛凌開始批量生產全碳化硅模塊 工藝設備 電子工程世界網

2017年6月28日 效率更高、功率密度更大、尺寸更小且系統成本更低：這是基于碳化硅（SiC）的晶體管的主要優勢。英飛凌科技股份公司（FSE: IFX OTCQX:

玻璃鋼用碳化硅,金蒙專業生產16年！

金蒙新材碳化硅耐沖刷、耐腐蝕,玻璃鋼用材料。. 公司研發部更是根據不同客戶的工藝設備要求,提供相對應的碳化硅產品,有效保證了合作產業 

天科合達牽頭的"大尺寸SiC材料與器件的制造設備與工藝技術研究"課題

2017年10月26日 近日,863計劃先進制造技術領域"大尺寸SiC材料與器件的制造設備與工藝技術研究"課題通過了技術驗收。,中關村天合寬禁帶半導體技術創新聯盟.

SFB 管殼式碳化硅換熱器 3V Tech

主頁 > 工藝設備 > 搪玻璃 > 熱交換 > SFB 管殼式碳化硅換熱器 SFB類型的外殼和夾套側管板由不銹鋼制成,其擋板由PTFE制成,碳化硅管子和管側的分配器由塘玻璃制成。 碳化硅管道 管道由SaintGobain陶瓷供應的Hexoloy SA碳化硅管道 

天科合達牽頭的"大尺寸SiC材料與器件的制造設備與工藝技術研究"課題

2017年10月26日 近日,863計劃先進制造技術領域"大尺寸SiC材料與器件的制造設備與工藝技術研究"課題通過了技術驗收。,中關村天合寬禁帶半導體技術創新聯盟.

碳化硅 北京世紀金光半導體有限公司

【金光炫技】 "世紀金光"碳化硅晶片劃片裂片工藝再添新高！ 材料劃裂片方案,引進國際上先進的SiC劃片裂片設備,建立了國內條SiC晶圓劃裂片量產生產線。

公司簡介 Microcera specializes

寧波密克斯新材料科技有限公司專業生產無壓燒結碳化硅陶瓷材料。 公司創辦人陳 我們的生產工藝全球。兩種材料都 生產所需的關鍵設備全部從歐美進口,包括大型高溫真空燒結爐,全自動機械壓機,等靜壓機,數控磨床等。 我們竭誠為您 

半導體科普五半導體材料、工藝和設備 知乎專欄

2018年7月2日 第三代半導體材料有氮化鎵（GaN）,金剛石（也叫鉆石）,碳化硅（SiC,也叫 實現以上工藝的設備有,氧化爐、光刻機、顯影機、刻蝕機、鍍膜機、注入 

半導體制造設備｜產品信息｜ACCRETECH 東京精密

高剛性研磨盤是對藍寶石、碳化硅等難磨材料進行研磨的設備。 CMP裝置. CMP設備. CMP是在IC 制造工程中晶圓表面平坦化工藝之一環,使用化學研磨劑、研磨墊 

碳化硅材料磨削技術基礎研究【維普網】倉儲式在線作品出版平臺www

為滿足碳化硅材料的磨削要求,根據碳化硅材料的性能,研究了磨削工藝,并針對磨削中出現的技術難題,采取 【出處】, 《電子工業專用設備》2018年第2期 3435頁共3頁.

碳化硅(SiC)：歷史與應用 微波基礎知識 微波射頻網

2017年8月10日 硅與碳的合成物是碳化硅(SiC),俗稱金剛砂。 碳化硅也用于在高溫和/或高壓環境中工作的半導體電子設備,如火焰點火器、電阻加熱元件以及惡劣 幸運的是,生產中使用滲氮工藝可使造成這些接口問題的缺陷大大降低。

150mm晶圓時代已逝？大錯特錯啦！ 晶圓 微迷：專業MEMS市場調研

2018年7月21日 在GaAs襯底上制造的器件常常以多片晶圓批量式進行工藝步驟,這 碳化硅（SiC）應用持續升溫 150mm SiC晶圓制造設備有何特殊之處？

SiC器件定制 BASiC l 基本半導體碳化硅功率器件領軍品牌

完整的4/6寸生產流程線,擁有碳化硅外延、高溫離子注入、高溫退火、高溫氧化等全套工藝設備,提供完整的器件生產或部分工藝步驟定制；. ? 全生產流程可控, 

碳化硅 北京世紀金光半導體有限公司

【金光炫技】 "世紀金光"碳化硅晶片劃片裂片工藝再添新高！ 材料劃裂片方案,引進國際上先進的SiC劃片裂片設備,建立了國內條SiC晶圓劃裂片量產生產線。

我國半導體SiC單晶粉料和設備生產實現新突破地方要聞區域創新

2018年6月5日 我國半導體SiC單晶粉料和設備生產實現新突破. 硅（SiC）單晶生長設備正在高速運行,碳化硅（SiC）單晶在這100臺設備里"奮力"生長。 單晶,在具備高純SiC粉料和單晶生長爐條件下,還需要對生產工藝進行設計、調試和優化。

中車時代電氣6英寸碳化硅（SiC）生產線首批芯片試制成功_首頁_株洲中

2018年1月30日 時代電氣半導體事業部6英寸碳化硅（SiC）生產線是國內首條6英寸SiC 芯片結構設計、高溫離子注入機等50余臺工藝設備和90余項工藝調試, 

HOLLIASLEC G3 PLC 在SiC（碳化硅） 北京和利時電機技術有限公司

根據碳化硅晶體生長工藝要求,提供了一種降低成本、增加可靠性的運動控制方. 案。該晶體生長爐運動控制系統的全套硬件設備及軟件設計工作由杭州和利時自.

全球碳化硅晶片的主要生產商之一 北京天科合達半導體股份有限公司

公司依托于中國科學院物理所十余年在碳化硅領域的研究成果,集技術、管理、市場和 全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分會會員單位 中關村國家自主創新 自行研發了碳化硅晶片加工的關鍵工藝技術：針對超硬的碳化硅,選取適當 

中車時代電氣SiC產業化基地離子注入工藝設備技術調試完成 電子發燒友

2018年1月15日 近日,中車時代電氣SiC產業化基地離子注入工藝設備技術調試完成,標志著SiC芯片生產線全線設備、工藝調試圓滿完成,具備SiC產品的生產條件,