碳化硅（SiC）器件 STMicroelectronics

ST's silicon carbide device portfolio includes 600/1200V SiC diodes, featuring the industry's lowest forward voltage drop (VF), including automotivegrade diodes 

Specialized SiC MicroPowder Manufacture Fultech Technology

它對于像高精度水晶,晶圓棒,和振蕩器,鑄錠的切挖,和從超硬的金屬加工到例如黃銅和其他銅的軟金屬處理,都有極高水準的表現。同時綠碳化硅也用于各種樹脂和 

復合材料的筋骨：連續碳化硅纖維 中國科學院寧波材料技術與工程研究所

2016年12月15日 為了滿足高溫結構材料的要求,碳化硅纖維從初的高氧含量、富游離碳 對纖維進行不熔化處理,使纖維形聯結構,使得纖維在高溫處理時不 

黑(綠)碳化硅產品展示東莞市安發表面處理材料有限公司 玻璃珠

東莞市安發表面處理材料有限公司是一家專業批發玻璃珠,玻璃微珠,玻璃砂的生產廠家,一直專注于玻璃珠,玻璃微珠,玻璃砂的生產和研發。

碳化硅 維基百科,自由的百科全書

碳化矽（英語：silicon carbide）,化學式SiC,俗稱金剛砂,寶石名稱鉆髓,為硅與碳相鍵結而成的陶瓷狀化合物,碳化矽在大自然以莫桑石這種稀罕的礦物的形式存在。

碳化硅 409212 ChemicalBook

但炭素工業石墨化爐保溫料中碳化硅含量大于45%的經過處理也可用做煉鋼脫氧劑。脫氧劑用碳化硅有粉末狀與成型塊兩種。粉末狀脫氧劑黑碳化硅通常有4～0.5mm 

中國科學院上海硅酸鹽研究所碳化硅晶體項目部招聘啟事中國科學院

2018年1月19日 因科研任務和課題組發展需要,碳化硅晶體項目部高溫氧化物晶體組面向所內外公開招聘工作 （2）負責項目經費預算編制及處理財務報銷事宜；.

熱壓燒結碳化硅陶瓷的氧化性能 深圳大學

了不同狀態SiC 陶瓷的氧化性能。結果表明: 未預處理SiC 在等溫氧化過程中, 600~ 1 100 e 區間. 內, 等溫氧化動力學曲線服從拋物線規律 而在1 100~ 1 300 e 區間, 

碳化硅直接鍵合及其界面微觀結構分析

摘要：針對碳化硅（ＳｉＣ）材料在微電子制造和封裝過程中廣泛的應用前景,對碳化硅與碳化硅 關鍵詞：碳化硅鍵合；鍵合強度；微觀結構；親水性表面處理；退火；過渡層.

SiC材料有哪些的性能？ 知乎專欄

這是因為碳化硅的擊穿電場強度是硅的10倍,其電子飽和漂移速度也是硅的2倍,更 為了解決這些困擾,一方面SiC襯底處理、外延生長和制備工藝等方面的進展將會 

碳化硅纖維_百度百科

碳化硅纖維的使用溫度達1200℃,其耐熱性和耐氧化性均優于碳纖維,強度 為防止纖維在碳化過程中發生熔融粘接,須先在較低溫度下作不熔化處理。不熔化 

反應燒結碳化硅中碳短纖維的形貌及增強作用 IngentaConnect

2013年7月7日 化硅陶瓷發展的重要因素[9–11]。為此,反應燒結碳. 化硅陶瓷的強化、增韌處理成為研究的核心問題。 反應燒結碳化硅陶瓷是在高溫下由熔融態硅滲.

材料技術（SiC、碳） 伊格爾工業株式會社

本公司特別使用碳化硅（SiC：碳化硅）及碳,進行研發。 SiC (Silicon Carbide；碳化硅)的特點. 高硬度 多孔SiC, 對常壓燒結SiC進行氣孔分散處理的產物, 多孔SiC 

納米物理與器件實驗室N01組論文發表

在碳化硅(SiC)基底上外延生長碳納米薄膜epitaxial graphene的方法, 陳小龍,黃青松, 一種籽晶處理方法和生長碳化硅單晶的方法, 波,陳小龍,彭同華,鮑慧強, 

碳化硅器件在電動汽車領域的應用前景簡析 北京世紀金光半導體有限公司

以碳化硅為代表的第三代半導體,與單晶硅和砷化鎵等傳統半導體材料相比,具有 于高壓開關,功率處理能力強,使得SiC材料適于制作大功率、大電流器件。

兩種類型吸波材料鋇鐵氧體、SiC陶瓷的研究梳理– 材料牛

（b）在800°C處理； 結果表明,燒結碳化硅試樣的表面覆蓋了SiO2層。表面層的 (d): 燒結碳化硅陶瓷表面和拋光樣品的O元素XPS圖研究的SiC陶瓷的低頻介電特性 

碳化硅(SiC) Infineon Technologies

碳化硅(SiC)器件屬于所謂的寬禁帶半導體組別。與常用硅(Si)器件相比,它們為高壓功率半導體提供了許多有吸引力的特性。特別是,碳化硅具備更高的擊穿電場強度 

碳化硅直接鍵合及其界面微觀結構分析

摘要：針對碳化硅（ＳｉＣ）材料在微電子制造和封裝過程中廣泛的應用前景,對碳化硅與碳化硅 關鍵詞：碳化硅鍵合；鍵合強度；微觀結構；親水性表面處理；退火；過渡層.

碳化硅（SiC）器件 STMicroelectronics

ST's silicon carbide device portfolio includes 600/1200V SiC diodes, featuring the industry's lowest forward voltage drop (VF), including automotivegrade diodes 

SiC材料有哪些的性能？ 知乎專欄

這是因為碳化硅的擊穿電場強度是硅的10倍,其電子飽和漂移速度也是硅的2倍,更 為了解決這些困擾,一方面SiC襯底處理、外延生長和制備工藝等方面的進展將會 

反應燒結碳化硅中碳短纖維的形貌及增強作用 IngentaConnect

2013年7月7日 化硅陶瓷發展的重要因素[9–11]。為此,反應燒結碳. 化硅陶瓷的強化、增韌處理成為研究的核心問題。 反應燒結碳化硅陶瓷是在高溫下由熔融態硅滲.

籽晶處理工藝對物理氣相傳輸法生長SiC 單晶的影響 硅酸鹽學報

2010年8月8日 學顯微鏡觀察晶片生長前后的形貌,討論了不同處理工藝籽晶對晶體生長的影響。結果表明, 關鍵詞：碳化硅單晶；晶體生長；物理氣相傳輸法；籽晶.

聚碳硅烷制備連續SiC纖維的不熔化處理工藝研究進展 Core

出了制備高性能SiC 纖維不熔化技術研究的國內外差距及發展趨勢。 關鍵詞聚碳硅烷碳化硅纖維不熔化處理凝膠結構. Research Development of Curing Treatment 

碳化硅 409212 ChemicalBook

但炭素工業石墨化爐保溫料中碳化硅含量大于45%的經過處理也可用做煉鋼脫氧劑。脫氧劑用碳化硅有粉末狀與成型塊兩種。粉末狀脫氧劑黑碳化硅通常有4～0.5mm 

材料技術（SiC、碳） 伊格爾工業株式會社

本公司特別使用碳化硅（SiC：碳化硅）及碳,進行研發。 SiC (Silicon Carbide；碳化硅)的特點. 高硬度 多孔SiC, 對常壓燒結SiC進行氣孔分散處理的產物, 多孔SiC