我國半導體SiC單晶粉料和設備生產實現新突破地方要聞 科技日報

2018年6月5日 中國科技網·科技日報訊（記者海濱通訊員玉芳）6月5日,在中國電子科技集團公司研究所（中國電科二所）生產大樓內,100臺碳化硅（SiC）單 

碳化硅的生產工藝與特點 碳化硅百科

2012年4月24日 碳化硅出爐分級是從爐上取下結晶塊、石墨,并把一級品、二級品、石墨等物分開的過程。碳化硅出爐分級采用爐外分級法,人工劈開結晶筒,將成塊狀的 

碳化硅

企業擁有員工近200人,其中：大中專畢業生32人,專業技術人員8人(職稱2人,中級職稱6人)。金蒙新材料公司是以生產碳化硅微粉為主的高新技術企業,擁有完善 

我國半導體SiC單晶粉料和設備生產實現新突破新華網 新華社

2018年6月6日 我國半導體SiC單晶粉料和設備生產實現新突破6月5日,在中國電子科技集團公司研究所（簡稱中國電科二所）生產大樓內,100臺碳化硅（SiC） 

我國碳化硅器件制造關鍵裝備研發取得重大進展 國家科技部

2018年5月6日 以碳化硅（SiC）為代表的第三代半導體產業是全球戰略競爭新的制高點。SiC器件具有極高的耐壓水平和能量密度,可有效降低能量轉化損耗和裝置 

碳化硅 409212 ChemicalBook

在航天工業中,用碳化硅制造的燃氣濾片、燃燒室噴嘴已用于火箭技術中。已經實現工業化生產的碳化硅纖維,是一種新型高強度、高模量材料,具有優異的耐熱性和耐 

連續碳化硅長絲纖維生產技術現狀 中國材料進展

2014年5月5日 摘要：連續碳化硅長絲纖維是目前具有比強度和比模量,以及高熱穩定性的人造纖維。 其生產技術發展經歷了從高含氧量到超低含氧量,從 

碳化硅 409212 ChemicalBook

在航天工業中,用碳化硅制造的燃氣濾片、燃燒室噴嘴已用于火箭技術中。已經實現工業化生產的碳化硅纖維,是一種新型高強度、高模量材料,具有優異的耐熱性和耐 

碳化硅行業未來發展轉型的方向！行業動態ROHM技術社區

2018年3月13日 我國是全球碳化硅的生產國和出口國,碳化硅行業經過多年的發展,目前其冶煉生產工藝、技術裝備和單噸能耗已經達到了水平,黑、綠 

國產廠商發力碳化硅功率器件,中國第三代半導體材料迎來春天國際

2017年11月1日 商用的碳化硅基MOSFET國際幾大廠如Cree、Infineon、RoHM等廠家都有量 活動邀請到來自中國和歐洲從事碳化硅、氮化鎵等第三代半導體技術 

全球碳化硅晶片的主要生產商之一 北京天科合達半導體股份有限公司

我們是亞太區碳化硅晶片生產制造先行者. 北京天科合達半導體股份有限公司成立于2006年9月,專業從事第三代半導體碳化硅晶片的研發、生產和銷售的高新技術 

碳化硅技術介紹 RevoDeve Group 上海大革上海巨洪巨洪株式會社革

日本日新技研公司的升華發碳化硅長晶設備,在日本國內得到了國際的碳化硅 的控制上仍有先天上的技術瓶頸,但在當前仍然是碳化硅襯底的主要生產方式。

我國半導體SiC單晶粉料和設備生產實現新突破半導體碳化 新浪科技

2018年6月6日 科技日報訊（記者海濱通訊員玉芳）6月5日,在中國電子科技集團公司研究所（簡稱中國電科二所）生產大樓內,100臺碳化硅（SiC）單晶生長 

SiC 質耐火材料的碳化氮化制備及性能 IngentaConnect

摘要：以Si 粉和SiC 顆粒為原料,采用碳化–氮化反應在1 400 ℃和1 500 ℃制備了SiC 質耐火材料。采用X 射線 都是利用高溫氮化窯爐生產的,存在生產成本高、.

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過去幾年來,基于碳化硅(SiC)的功率半導體解決方案的使用大幅增長, 熱帶技術并非像前幾代硅功率器件一樣,是對現有技術的改. 良,而是有能力真正 批量生產能力.

我國半導體SiC單晶粉料和設備生產實現新突破新華網 新華社

2018年6月6日 我國半導體SiC單晶粉料和設備生產實現新突破6月5日,在中國電子科技集團公司研究所（簡稱中國電科二所）生產大樓內,100臺碳化硅（SiC）單晶生長設備正在高速運行,SiC單晶在這100臺設備里"奮力"生長。

碳化硅市場分析及前景展望 知乎專欄

2017年3月15日 企業類型 企業數量 年生產能力 碳化硅冶煉企業 200多家 220多萬噸（ 3、技術趨于成熟,但企業研發投入不足當前我國碳化硅制備的技術已經趨于 

Ferrotec全球 氣相沉積碳化硅產品（CVDSiC) Ferrotec全球

設備相關產品、日本磁性流體技術株式會社、太陽能電池片相關產品、電子器件產品. 以自行研發的CVD法生產,實現了超高純度,高耐熱性,高耐磨性的碳化硅產品.

山東大學徐現剛教授：碳化硅單晶生產技術的現狀和未來的發展_中國

2017年11月9日 一代材料,一代器件,一代裝備,一代應用。第三代半導體材料主要包括以氮化鎵（GaN）為代表的寬禁帶Ⅲ族氮化物、以碳化硅（SiC）為代表的寬禁 

碳化硅_百度百科

碳化硅又稱碳硅石。在當代C、N、B等非氧化物高技術耐火原料中,碳化硅為應用廣泛、經濟的一種,可以稱為金鋼砂或耐火砂。 目前中國工業生產的碳化硅分為 

山東大學徐現剛教授：碳化硅單晶生產技術的現狀和未來的發展_中國

2017年11月9日 一代材料,一代器件,一代裝備,一代應用。第三代半導體材料主要包括以氮化鎵（GaN）為代表的寬禁帶Ⅲ族氮化物、以碳化硅（SiC）為代表的寬禁 

碳化硅 維基百科,自由的百科全書

碳化矽（英語：silicon carbide）,化學式SiC,俗稱金剛砂,寶石名稱鉆髓,為硅與碳相鍵結而成的 . 此外,還可以利用生產金屬硅化物和硅鐵合金的副產物硅灰與石墨混合在1500°C的條件下加熱合成碳化硅。 用艾奇遜法在電爐中合成的碳化硅因距離 

黑碳化硅存在有什么樣的用途 雪花新聞

2018年7月4日 自2000年建廠起即對傳統落后的碳化硅生產工藝進行了科學合理的改造。這一指導理念又作于整個生產實踐中,使其碳化硅制品技術日趨完善合理。

碳化硅性能與碳化硅生產工藝_中國球團技術與裝備網

天然的碳化硅很少,工業上使用的為人工合成原料,俗稱金剛砂,是一種典型的共價鍵結合的化合物。碳化硅是耐火材料領域中常用的非氧化物耐火原料之一。

我國半導體SiC單晶粉料和設備生產實現新突破新華網 新華社

2018年6月6日 我國半導體SiC單晶粉料和設備生產實現新突破6月5日,在中國電子科技集團公司研究所（簡稱中國電科二所）生產大樓內,100臺碳化硅（SiC）