SiC器件定制 BASiC l 基本半導體碳化硅功率器件領軍品牌

根據客戶的設計要求,整合基本半導體標準工藝模塊,提供完整的器件定制工藝 線,擁有碳化硅外延、高溫離子注入、高溫退火、高溫氧化等全套工藝設備,提供完整的 標準化的工藝模塊,包括的碳化硅深溝槽刻蝕,柵氧工藝及各種金屬結工藝；.

上海大革智能科技有限公司打造碳化硅產業化項目_技術_SEMI大半導體

2016年11月29日 以碳化硅（SiC）為代表的寬禁帶半導體電力電子器件制造成套工藝與裝備, 德國、美國、俄羅斯、日本多家企業的碳化硅長晶技術及設備制造廠家。

碳化硅_百度百科

碳化硅(SiC)因其很大的硬度而成為一種重要的磨料,但其應用范圍 高溫制備SiC冶煉塊的熱工設備是專用的碳化硅電爐,其結構由爐底、 

天科合達牽頭的"大尺寸SiC材料與器件的制造設備與工藝技術研究"課題

2017年10月26日 天科合達牽頭的"大尺寸SiC材料與器件的制造設備與工藝技術研究"課題 高,尤其是碳化硅單晶爐的結構設計、溫度控制精度、真空度極限值及設備 

中國研制成功世界口徑單體碳化硅反射鏡中新網 中國新聞網

2018年8月21日 中科院長春光機所研制成功的直徑4.03米口徑高精度碳化硅非球面反射鏡。 碳化硅表面改性鍍膜的制造設備研制與制造工藝研究,形成了具有自主 

天科合達牽頭的"大尺寸SiC材料與器件的制造設備與工藝技術研究"課題

2017年10月26日 天科合達牽頭的"大尺寸SiC材料與器件的制造設備與工藝技術研究"課題 高,尤其是碳化硅單晶爐的結構設計、溫度控制精度、真空度極限值及設備 

我國第三代半導體材料制造設備取得新突破 中國日報網 金融頻道

2017年10月24日 通常,國際上把碳化硅（SiC）、氮化鎵(GaN)等寬禁帶半導體材料稱之為第三代 方面性能尤為明顯,由于第三代半導體材料的制造裝備對設備真空度、高溫 缺陷密度的6英寸SiC單晶襯底的制備技術,掌握了相關外延工藝技術,生長 

我國半導體SiC單晶粉料和設備生產實現新突破地方要聞區域創新

2018年6月5日 我國半導體SiC單晶粉料和設備生產實現新突破. 硅（SiC）單晶生長設備正在高速運行,碳化硅（SiC）單晶在這100臺設備里"奮力"生長。 晶,在具備高純SiC粉料和單晶生長爐條件下,還需要對生產工藝進行設計、調試和優化。 爐高極限真空、低背景漏率生長爐設計制造及小批量生產；他們還突破了高純SiC粉料 

公司簡介 Microcera specializes

寧波密克斯新材料科技有限公司專業生產無壓燒結碳化硅陶瓷材料。 公司創辦人陳 我們的生產工藝全球。兩種材料都 生產所需的關鍵設備全部從歐美進口,包括大型高溫真空燒結爐,全自動機械壓機,等靜壓機,數控磨床等。 我們竭誠為您 

連續碳化硅長絲纖維生產技術現狀 中國材料進展

2014年5月5日 連續碳化硅長絲纖維生產的4個關鍵技術工藝過程包括：有機硅烷小 工藝過程的技術關鍵,才能有效選擇合適的工藝及生產裝備,生產出高強度高模量連續碳化硅長絲 給輻照設備和工藝帶來非常苛刻的要求,而且使材料的.

我國半導體SiC單晶粉料和設備生產實現新突破新華網 新華社

2018年6月6日 我國半導體SiC單晶粉料和設備生產實現新突破6月5日,在中國電子科技集團公司研究所（簡稱中國電科二所）生產大樓內,100臺碳化硅（SiC） 

連續碳化硅長絲纖維生產技術現狀 中國材料進展

2014年5月5日 連續碳化硅長絲纖維生產的4個關鍵技術工藝過程包括：有機硅烷小 工藝過程的技術關鍵,才能有效選擇合適的工藝及生產裝備,生產出高強度高模量連續碳化硅長絲 給輻照設備和工藝帶來非常苛刻的要求,而且使材料的.

超細碳化硅微粉生產過程中要用到什么設備呢？ 滎陽光亞耐材

2018年9月12日 熟悉碳化硅微粉的都知道碳化硅微粉是指利用JZFZ設備來進行超細粉碎分級的微米級碳化硅粉體晶體結構, 黑/綠碳化硅微粉生產工藝及過程.

碳化硅制作工藝濰坊馳美精細陶瓷有限公司 碳化硅研磨桶

2018年6月22日 由于天然含量甚少,碳化硅主要多為人造。 碳化硅制作工藝 高溫制備SiC冶煉塊的熱工設備是專用的碳化硅電爐,其結構由爐底、內面鑲有電極 

SIC China 2017 第九屆上海國際工業陶瓷展覽會

隊及資源給參展企業提供技術答疑、生產工藝及設備升級改造、檢測認證、創業 磨陶瓷、碳化硅陶瓷、過慮陶瓷、高技術陶瓷、陶瓷纖維、陶瓷密封件、納米陶瓷、蜂窩 

我國碳化硅器件制造關鍵裝備研發取得重大進展 國家科技部

2018年5月6日 以碳化硅（SiC）為代表的第三代半導體產業是全球戰略競爭新的制高點。 同時,設備的銷售價格可控制在同類進口設備的2/3以下,有力支撐了國內SiC 在中國電科13所、55所、泰科天潤等十余家公司進行的器件制造工藝驗證和 

我國半導體SiC單晶粉料和設備生產實現新突破新華網 新華社

2018年6月6日 我國半導體SiC單晶粉料和設備生產實現新突破6月5日,在中國電子科技集團公司研究所（簡稱中國電科二所）生產大樓內,100臺碳化硅（SiC） 

Ferrotec全球 陶瓷產品 Ferrotec全球 Ferrotec Global

設備相關產品制造過程中不可或缺的設備 在半導體制造工藝以及其他領域中被廣泛使用并且是具有高強度,高純度,高耐熱性等 氣相沉積碳化硅產品（CVDSiC).

打破技術壟斷,比亞迪自主研發碳化硅功率MOS器件 分立器件 半導體

2017年10月19日 用碳化硅材料制作的MOS器件可在大于200度的高溫環境下工作,具有極低的 比亞迪微電子團隊通過不斷的工藝及設計試驗,目前在國內已自主研發出適合 . 能夠提供SiC產品,后者的功率和設備器件業務已經獨立為Wolfspeed。

4米量級高精度SiC非球面反射鏡制造系統 中國科學院院刊

圖1 FSGJ系列非球面制造設備 反射鏡表面鍍膜的制造設備研制與制造工藝研究,形成了4 m量級高精度SiC非球面集成制造平臺, 控制等多項關鍵技術及工藝,實現了大口徑磁控濺射技術在SiC反射鏡表面改性層及反射膜制備方面的工程化應用。

研究人員發現低成本生產SiC的工藝電子工程專輯

2017年9月28日 研究人員們將在日前于美國華府舉行的2017年碳化硅及相關材料國際 PRESiCE工藝可用于降低SiC功率組件的生產成本（來源：North Carolina 

我國碳化硅器件制造關鍵裝備研發取得重大進展 國家科技部

2018年5月6日 以碳化硅（SiC）為代表的第三代半導體產業是全球戰略競爭新的制高點。 同時,設備的銷售價格可控制在同類進口設備的2/3以下,有力支撐了國內SiC 在中國電科13所、55所、泰科天潤等十余家公司進行的器件制造工藝驗證和 

全球碳化硅晶片的主要生產商之一 北京天科合達半導體股份有限公司

天科合達公司參展第十二屆歐洲碳化硅及相關材料會議（ECSCRM2018） 全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分會會員單位 中關村國家自主創新示范區 自行研發了碳化硅晶片加工的關鍵工藝技術：針對超硬的碳化硅,選取適當種類、 

我國半導體SiC單晶粉料和設備生產實現新突破地方要聞區域創新

2018年6月5日 我國半導體SiC單晶粉料和設備生產實現新突破. 硅（SiC）單晶生長設備正在高速運行,碳化硅（SiC）單晶在這100臺設備里"奮力"生長。 晶,在具備高純SiC粉料和單晶生長爐條件下,還需要對生產工藝進行設計、調試和優化。 爐高極限真空、低背景漏率生長爐設計制造及小批量生產；他們還突破了高純SiC粉料 

碳化硅 北京世紀金光半導體有限公司

【金光炫技】 "世紀金光"碳化硅晶片劃片裂片工藝再添新高！ 裂片方案,引進國際上先進的SiC劃片裂片設備,建立了國內條SiC晶圓劃裂片量產生產線。 和人才培養,進一步提高產品技術及工藝水平,促進成本降低,推動產業化進程加速上行。