碳化硅如

碳化硅 維基百科,自由的百科全書
碳化矽(英語:silicon carbide),化學式SiC,俗稱金剛砂,寶石名稱鉆髓,為硅與碳相鍵結而成的陶瓷狀化合物,碳化矽在大自然以莫桑石這種稀罕的礦物的形式存在。
碳化硅納米材料的溶劑熱合成
摘要: 本文綜述了溶劑熱法制&E系列碳化硅納米材料的研究,包括E維納米線、納米帶、納米棒、二維納米片及空心球等同. 時,碳源過量時可形成碳包覆碳化硅的復合 
SiC材料有哪些的性能? 知乎專欄
上世紀四五十年代,以硅(Si)和鍺(Ge)為代表的代半導體材料奠定了微電子產業(yè)的基礎。經過幾十年的發(fā)展,硅材料的制備與工藝日臻,Si基器件的設計和開發(fā) 
碳化硅 409212 ChemicalBook
ChemicalBook 為您提供碳化硅(409212)的化學性質,熔點,沸點,密度,分子式,分子量,物理性質,毒性,結構式,海關編碼等信息,同時您還可以瀏覽碳化 
半導體碳化硅單晶材料的發(fā)展_電氣自動化網
2017年9月10日 摘要:本文回顧了半導體碳化硅(SiC)單晶材料的發(fā)展史,簡單介紹了半導體SiC單晶材料的結構與性質,對物理氣相傳輸法(PVT)制備SiC單晶做了 
大家對碳化硅器件的前景如何看? 知乎
我們導師認為未來幾年內碳化硅器件會在電動汽車上替換硅器件,而且國家也在支持相應項目,計劃2020年前實現(xiàn)一批裝車試點。所以他建議我繼續(xù) 
碳化硅木質陶瓷的顯微結構及力學性能 IngentaConnect
采用激光共聚焦顯微鏡、掃描電子顯微鏡和X 射線衍射儀等分析了碳化硅木質陶瓷 結果表明:采用注漿成型制備的碳化硅木質陶瓷力學性能優(yōu)異,實測的游離硅含量 
碳化硅_百度百科
金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑 
首屆亞太碳化硅及相關材料國際會議將于7月在北京舉行美通社PR
2018年4月24日 北京2018年4月24日電/美通社/ 近年來,碳化硅等寬禁帶半導體已成為全球高 APCSCRM 2018 會議將圍繞寬禁帶半導體材料(如SiC, GaN, AlN, 
科學網—[轉載]中國成功研制出6英寸碳化硅SiC晶片,可以年產7萬片[轉
2015年8月8日 從2英寸、3英寸、4英寸到如今的6英寸碳化硅單晶襯底,陳小龍團隊花 為此,科研人員在其他襯底(如碳化硅)上生長氮化鎵厚膜,然后通過剝離技術 
碳化硅陶瓷的超聲振動輔助磨削
摘要:采用普通磨削方式和超聲振動輔助磨削方式對無壓燒結SiC材料進行了磨削工藝實驗,對不同磨削方式下磨削參數(shù)對磨削力比、表面損傷及亞表面損傷的影響進行 
碳化硅(SiC):歷史與應用 微波基礎知識 微波射頻網
2017年8月10日 硅與碳的合成物是碳化硅(SiC),俗稱金剛砂。SiC 在自然界中以礦物碳硅石的形式存在,但十分。不過,自1893 年以來,粉狀碳化硅已被 
SiC材料有哪些的性能? 知乎專欄
上世紀四五十年代,以硅(Si)和鍺(Ge)為代表的代半導體材料奠定了微電子產業(yè)的基礎。經過幾十年的發(fā)展,硅材料的制備與工藝日臻,Si基器件的設計和開發(fā) 
國產廠商發(fā)力碳化硅功率器件,中國第三代半導體材料迎來春天國際
2017年11月1日 以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等寬禁帶化合物為代表的第三代半導體材料引發(fā)全球矚目。商用的碳化硅基MOSFET國際幾大廠 
碳化硅_百度百科
金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑 
碳化硅 安陽金晟冶金材料有限公司
概述 英文名稱:silicon carbide,俗稱金剛砂。純碳化硅是無色透明的晶體。工業(yè)碳化硅因所含雜質的種類和含量不同,而呈淺黃、綠、藍乃黑色,透明度隨其純度不同 
SiC MOSFET 的發(fā)展狀況和商業(yè)前景行業(yè)動態(tài)ROHM技術社區(qū)
2018年7月6日 正如20 世紀80 年代革命性的IGBT 技術,如今的寬帶半導體碳化硅(SiC)也越來越顯示出再次革新電力電子世界的希望。IGBT 為我們帶來了能夠以 
碳化硅氣凝膠——輕如鴻毛,固若金湯 中國腐蝕與防護網
2018年3月19日 碳化硅(SiC)納米線作為一種一維(1D)納米材料,具有良好的彈性、耐高溫性和化學穩(wěn)定性,在可壓縮陶瓷納米線氣凝膠(NWA)上有很好的應用前景 
碳化硅 維基百科,自由的百科全書
碳化矽(英語:silicon carbide),化學式SiC,俗稱金剛砂,寶石名稱鉆髓,為硅與碳相鍵結而成的陶瓷狀化合物,碳化矽在大自然以莫桑石這種稀罕的礦物的形式存在。
碳化硅二極管 碳化硅二極管 STMicroelectronics
ST 的碳化硅二極管產品系列電壓范圍從600到1200 V,包括單、雙二極管。 它們有多種封裝,從DPAK到TO247以及絕緣的TO220AB/AC,為設計者們提供了極大的 
【行業(yè)分享】備受期待的碳化硅功率器件行業(yè)動態(tài)ROHM技術社區(qū)
2018年5月30日 還有很多工藝問題還沒有理想的解決辦法,如碳化硅半導體表面挖槽工藝、終端鈍化工藝、柵氧層的界面態(tài)對碳化硅MOSFET器件的長期穩(wěn)定性影響 
碳化硅非線性導電特性的研究進展 電力設備電氣絕緣國家實驗室
摘要: 綜述了碳化硅非線性導電特性的意義和碳化硅材料的特性、非線性導電特性 顆粒越細, 電阻率ρ0 越高、非線性系數(shù)β越小 不同種類, 不同工廠生產的碳化硅的 
三菱電機半導體·器件:各應用行業(yè)的功率模塊產品 碳化硅(SiC)應用設備
用途廣泛的各類碳化硅(SiC)功率模塊 有著優(yōu)異特性的碳化硅(SiC). New/Featured Products. 家電用600V/15A?25A 超小型全SiC DIPIPM?的優(yōu)點 PV用600V/50A 
碳化硅木質陶瓷的顯微結構及力學性能 IngentaConnect
采用激光共聚焦顯微鏡、掃描電子顯微鏡和X 射線衍射儀等分析了碳化硅木質陶瓷 結果表明:采用注漿成型制備的碳化硅木質陶瓷力學性能優(yōu)異,實測的游離硅含量 
碳化硅(SiC):歷史與應用 微波基礎知識 微波射頻網
2017年8月10日 硅與碳的合成物是碳化硅(SiC),俗稱金剛砂。SiC 在自然界中以礦物碳硅石的形式存在,但十分。不過,自1893 年以來,粉狀碳化硅已被