碳化硅(SiC)是制作高溫、高頻、大功率電子器件的理想電子材料,近20 年來隨著外延設備和工藝技術水平不斷 提升,外延膜生長速率和品質逐步提高,碳化硅在新能源汽車、光伏產業、高壓輸在碳化硅領域,晶盛機電的產品主要有碳化硅長晶、拋光、外延設備以及6英寸導電型碳化硅襯底片。繼實驗室成功長出6英寸碳化硅晶體后,公司建立6英寸及以上尺寸碳化硅材料研發實驗線

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碳化硅器件生產各工藝環節關鍵設備 由于SiC工藝的特殊性,傳統用于Si基功率器件制備的設備已不能滿足需求,需要增加一些專用的設備作為支撐,如材料制備中的碳化硅單晶生長爐、金剛線因此,只有長晶工藝和設備緊密結合,研發、生產效率才能達到。 因此,包括CREE、IIVI、SiCrystal等國際碳化硅企業都是以自研設備為主,國內方面,天科合

2018年6月5日 我國半導體SiC單晶粉料和設備生產實現新突破. 中國電科二所)生產大樓內,100臺碳化硅(SiC)單晶生長設備正在高速運行,碳化硅(SiC) 晶,在具備高純SiC粉料和單晶生免費查詢更多碳化硅生產設備廠商詳細參數、實時報價、行情走勢、優質商品批發/供應信息等,您還可以發布詢價信息。

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來自: will1998 《真空設備》 舉報/認領 0條評論 寫評論 發表 請遵守用戶 評論公約熱點新聞 類似文章 更多 年產20萬片!南砂晶圓碳化硅單晶材料與晶片生碳化硅(SiC):8英寸襯底將小批量生產發布6英寸雙片式外延設備據公司2023年2月4日官方微信公眾號 1)8英寸SiC襯底:經過一年研發,公司已成功生長出行業的8英寸

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