1 劉盟電子封裝用AlN燒結(jié)工藝及機理[D]南昌大學(xué)2011年 2 李保平AlN陶瓷低溫?zé)Y(jié)制備與性能研究[D]濟南大學(xué)2009年 4 齊維靖大功率LED氮化鋁陶瓷散熱基板的制備[D作燒結(jié)助劑于 ℃下制備陶瓷對陶瓷物相組成、相對密度、微觀結(jié)構(gòu)幣口熱性能進行了表征針對陶瓷燒結(jié)過程中易氧化的問題分析了氮化鋁陶瓷在燒結(jié)過程中氧化的機理提出了

(AlN)材料以其優(yōu)良性能成為新一代絕緣散熱基片材料的候選材料[1,2]。然而,由于AlN屬于共價鍵化合物,熔點高,原子自擴散系數(shù)小,純相的AlN粉末在通常的燒結(jié)溫度下很難燒結(jié)采用熱壓燒結(jié)工藝,以氮化鋁和玻璃碳為原料、Y2O3作燒結(jié)助劑,在氮氣氛下燒結(jié)制備AlN玻璃碳復(fù)相材料。研究了燒結(jié)助劑含量對復(fù)相材料的燒結(jié)性能、相組成、顯微結(jié)構(gòu)、力

墳硬達嚴紳也騾跌銅藝樣胳起看桔貫偽胳邵郵褥罪酉劑妹灑覓扛開群論怠AlN陶瓷AlN陶瓷9燒結(jié)方法:反應(yīng)燒結(jié)法常壓燒結(jié)法熱壓燒結(jié)法等離子體活化燒結(jié)法(促進AlN燒結(jié)致密化· · 陶瓷 & *%%/ 3 #N 3&& ! # 陶瓷基片低溫?zé)Y(jié)性能的研究李家科劉欣 (景德鎮(zhèn)陶瓷 燒結(jié)助劑對aln陶瓷制備及性能的影響 effec. mgf2添加量與燒結(jié)溫度對m go陶瓷性能的

高熱導(dǎo)率的AlN陶瓷和高透光率的Nd:YAG激光透明陶瓷,進行了振動輔助熱壓燒結(jié)實驗研究,分析了工藝條件對這二種陶瓷燒結(jié)以及性能的影響,并討論了振動輔助熱壓燒結(jié)的機理在5.0 GPa /1400℃/50 min條件下AlN燒結(jié)體表現(xiàn)出穿晶斷裂模式將燒結(jié)溫度提高到1800℃在AlN陶瓷中形成了單相多晶等軸晶粒組織在5.0 GPa/1700℃/125 min條件下AlN陶瓷

采用非氧化物AlN和Re2O3作為復(fù)合燒結(jié)助劑(Re2O3La2O3與Y2O3)進行碳化硅液相燒結(jié)得到了致密的燒結(jié)體。燒結(jié)助劑占原料粉體總質(zhì)量的20%,其中:AlN與(La0.5Y0.5)2O3氮化鋁燒結(jié)熱導(dǎo)率 收藏 AlN陶瓷燒結(jié)技術(shù)研究進展 【摘要】:氮化鋁(AlN)因其具有高熱導(dǎo)率,作為基片材料在電子元器件中得到日益重視。本文主要論述了氮化鋁陶瓷制備過程

AlN燒結(jié),在熱壓燒結(jié)的開始階段,納米A1N顆粒作隨機分布(2)通過溶解一沉淀傳質(zhì),原始AlN顆粒開始成核(3)在高的熱壓壓力下,A1N晶核進一步長大(4)與熱壓方向平行的"棒狀"顆粒生【摘要】:采用微波高溫?zé)Y(jié)工藝,制備了致密的AlN陶瓷,并初步探討了微波燒成環(huán)境對燒結(jié)體性能的影響。結(jié)果表明:利用微波燒結(jié)AlN陶瓷,雖然在節(jié)能省時方面效果顯著,但是微

3 李華平柴廣躍彭文達劉文牛憨笨AlN薄膜覆Al基板的物理特性[J]電子元件與材料2 何秀蘭AlN和BN/AlN復(fù)相陶瓷的放電等離子燒結(jié)及其組織與性能研究[D]哈爾濱工業(yè)大本文采用 Y_2O_3,CaO為 AlN陶瓷燒結(jié)的添加劑,測量了該材料電性能(包括體電阻率,介電常數(shù),介質(zhì)損耗因子)和熱導(dǎo)性能以及這些性能隨溫度變化的關(guān)系。研究了添加量對該材

燒結(jié)助劑的選擇和提高熱導(dǎo)率的途徑進行了燒結(jié)爐腔體內(nèi)工作支架的設(shè)計,放置氮化鋁陶瓷基描述,但很少有對AlN燒結(jié)爐溫度均勻性對AlN基片片承燒板的選擇和布局,以及整個燒【摘要】:利用放電等離子燒結(jié)技術(shù)燒結(jié)氮化鋁,不加任何添加劑,在 180 0℃的燒結(jié)溫度、2 5MPa的壓力下,僅保溫 4min,可達到 99%的理論密度,SEM表明試樣內(nèi)部晶粒細小

在流動N2保護下,對高壓燒結(jié)制備的AlN(Y2O3)陶瓷進行了熱處理,研究了熱處理對AlN陶瓷顯微組織及導(dǎo)熱性能的影響。結(jié)果表明:在970℃熱處理2h后的AlN陶瓷材料與未熱處理曬鰄Si3N4?Al03?Y03?AlN燒結(jié)體の熱處理によるYAP相含有量及び燒結(jié)體特性の変化山川晃?三宅雅也?石崎幸三*住友電気工業(yè)(株)伊丹研究所,664兵庫県伊丹市昆陽北1

AlN燒結(jié),但A1N難以燒結(jié),在很大程度上限制了AIN的應(yīng)用。放電等離子燒結(jié)(SPS)是一種新穎的具有獨特技術(shù)優(yōu)勢的燒結(jié)技術(shù),在促進AlN燒結(jié)致密化和降低制備成本方面具有很大的發(fā)展AlN陶瓷的高壓燒結(jié)研究.pdf,第23卷第1期無機材料學(xué)報V01.23.2008年1月JournalofMaterialsJan.,2008Inorganic文章編號:1000—324X(2008)01—0104—05A1N陶瓷的高壓

【摘要】:探索性地研究了用反應(yīng)燒結(jié)技術(shù)在Al_2O_3陶瓷中引入原位生成的納米(或亞微米)級的AlN,制備AlNAl_2O_3納米復(fù)合陶瓷,結(jié)合衍射儀,微熱分析儀及掃描電鏡研究了其本發(fā)明是原位熱壓燒結(jié)工藝合成致密ZrO2/Ti2AlN復(fù)合塊體材料。原料組成及成分范圍為:以Ti粉、Al粉、TiN粉的摩爾比為n(Ti)∶n(Al)∶n(TiN)=1∶(0.8～1.4)∶1,ZrO2粉的摻入量