1 劉盟電子封裝用AlN燒結工藝及機理[D]南昌大學2011年 2 李保平AlN陶瓷低溫燒結制備與性能研究[D]濟南大學2009年 4 齊維靖大功率LED氮化鋁陶瓷散熱基板的制備[D作燒結助劑于 ℃下制備陶瓷對陶瓷物相組成、相對密度、微觀結構幣口熱性能進行了表征針對陶瓷燒結過程中易氧化的問題分析了氮化鋁陶瓷在燒結過程中氧化的機理提出了

(AlN)材料以其優良性能成為新一代絕緣散熱基片材料的候選材料[1,2]。然而,由于AlN屬于共價鍵化合物,熔點高,原子自擴散系數小,純相的AlN粉末在通常的燒結溫度下很難燒結采用熱壓燒結工藝,以氮化鋁和玻璃碳為原料、Y2O3作燒結助劑,在氮氣氛下燒結制備AlN玻璃碳復相材料。研究了燒結助劑含量對復相材料的燒結性能、相組成、顯微結構、力

墳硬達嚴紳也騾跌銅藝樣胳起看桔貫偽胳邵郵褥罪酉劑妹灑覓扛開群論怠AlN陶瓷AlN陶瓷9燒結方法:反應燒結法常壓燒結法熱壓燒結法等離子體活化燒結法(促進AlN燒結致密化· · 陶瓷 & *%%/ 3 #N 3&& ! # 陶瓷基片低溫燒結性能的研究李家科劉欣 (景德鎮陶瓷 燒結助劑對aln陶瓷制備及性能的影響 effec. mgf2添加量與燒結溫度對m go陶瓷性能的

高熱導率的AlN陶瓷和高透光率的Nd:YAG激光透明陶瓷,進行了振動輔助熱壓燒結實驗研究,分析了工藝條件對這二種陶瓷燒結以及性能的影響,并討論了振動輔助熱壓燒結的機理在5.0 GPa /1400℃/50 min條件下AlN燒結體表現出穿晶斷裂模式將燒結溫度提高到1800℃在AlN陶瓷中形成了單相多晶等軸晶粒組織在5.0 GPa/1700℃/125 min條件下AlN陶瓷

采用非氧化物AlN和Re2O3作為復合燒結助劑(Re2O3La2O3與Y2O3)進行碳化硅液相燒結得到了致密的燒結體。燒結助劑占原料粉體總質量的20%,其中:AlN與(La0.5Y0.5)2O3氮化鋁燒結熱導率 收藏 AlN陶瓷燒結技術研究進展 【摘要】:氮化鋁(AlN)因其具有高熱導率,作為基片材料在電子元器件中得到日益重視。本文主要論述了氮化鋁陶瓷制備過程

AlN燒結,在熱壓燒結的開始階段,納米A1N顆粒作隨機分布(2)通過溶解一沉淀傳質,原始AlN顆粒開始成核(3)在高的熱壓壓力下,A1N晶核進一步長大(4)與熱壓方向平行的"棒狀"顆粒生【摘要】:采用微波高溫燒結工藝,制備了致密的AlN陶瓷,并初步探討了微波燒成環境對燒結體性能的影響。結果表明:利用微波燒結AlN陶瓷,雖然在節能省時方面效果顯著,但是微

3 李華平柴廣躍彭文達劉文牛憨笨AlN薄膜覆Al基板的物理特性[J]電子元件與材料2 何秀蘭AlN和BN/AlN復相陶瓷的放電等離子燒結及其組織與性能研究[D]哈爾濱工業大本文采用 Y_2O_3,CaO為 AlN陶瓷燒結的添加劑,測量了該材料電性能(包括體電阻率,介電常數,介質損耗因子)和熱導性能以及這些性能隨溫度變化的關系。研究了添加量對該材

燒結助劑的選擇和提高熱導率的途徑進行了燒結爐腔體內工作支架的設計,放置氮化鋁陶瓷基描述,但很少有對AlN燒結爐溫度均勻性對AlN基片片承燒板的選擇和布局,以及整個燒【摘要】:利用放電等離子燒結技術燒結氮化鋁,不加任何添加劑,在 180 0℃的燒結溫度、2 5MPa的壓力下,僅保溫 4min,可達到 99%的理論密度,SEM表明試樣內部晶粒細小

在流動N2保護下,對高壓燒結制備的AlN(Y2O3)陶瓷進行了熱處理,研究了熱處理對AlN陶瓷顯微組織及導熱性能的影響。結果表明:在970℃熱處理2h后的AlN陶瓷材料與未熱處理曬鰄Si3N4?Al03?Y03?AlN燒結體の熱處理によるYAP相含有量及び燒結體特性の変化山川晃?三宅雅也?石崎幸三*住友電気工業(株)伊丹研究所,664兵庫県伊丹市昆陽北1

AlN燒結,但A1N難以燒結,在很大程度上限制了AIN的應用。放電等離子燒結(SPS)是一種新穎的具有獨特技術優勢的燒結技術,在促進AlN燒結致密化和降低制備成本方面具有很大的發展AlN陶瓷的高壓燒結研究.pdf,第23卷第1期無機材料學報V01.23.2008年1月JournalofMaterialsJan.,2008Inorganic文章編號:1000—324X(2008)01—0104—05A1N陶瓷的高壓

【摘要】:探索性地研究了用反應燒結技術在Al_2O_3陶瓷中引入原位生成的納米(或亞微米)級的AlN,制備AlNAl_2O_3納米復合陶瓷,結合衍射儀,微熱分析儀及掃描電鏡研究了其本發明是原位熱壓燒結工藝合成致密ZrO2/Ti2AlN復合塊體材料。原料組成及成分范圍為:以Ti粉、Al粉、TiN粉的摩爾比為n(Ti)∶n(Al)∶n(TiN)=1∶(0.8～1.4)∶1,ZrO2粉的摻入量